Facebook köper rättigheterna till Skam
Den amerikanska versionen lär bli lättillgänglig 
32.7°
+
André Stray
0
Rykte Northvolts batterifabrik etableras i både Skellefteå och Västerås
Tillverkning i Skellefteå och utveckling i Västerås 
45.1°
+
Wille Wilhelmsson
0
Två Omega Speedmaster 2915-1 på auktion
Den ena hittades på en vind! 
83kg
+
Roger Åberg

IBM demonstrerar phase-change minne

Har nått ett nytt genombrott

Visa inte PC-artiklar
PC / Övrigt

Forskare hos IBM Research har demonstrerat att en relativt ny minnesteknologi som kallas för phase-change minne, eller PCM, kan lagra flera bitar per cell över längre perioder. Detta är en signifikant förbättring i utvecklingen av billigt och snabbt minne för konsumentenheter.

Forskare har länge sökt efter en unvirsell, icke-flyktig minnesteknologi med en överlägsen prestanda än den vi ser i NAND-flash. Det skulle medföra att datorer och servrar kan starta på nolltid och även öka prestandan överlag av IT-system.

PCM är en lovande utmanare till NAND-flash då det är omkring 100 gånger snabbare och kan ge väldigt stora lagringskapaciteter medan det dessutom kan behålla data när strömmen i ett system stängs av. Det är också väldigt hållbart då det kan genomgå omkring 10 miljoner skrivcykler.

Den nya metoden som forskarna hos IBM tagit fram gör att man nu alltså kan lagra flera bitar i en cell, vilket kan ge kombinationerna "00", "01" 10" och "11".