Forskare når genombrott inom phase-change minnen. Ökar hastigheten med en faktor 10.

Teknik

Motor

Samhälle

Spel

Popkultur

Fritid

Tjock

Tester

Dagens fråga

Tipsa!

Skaffa Feber+

Hetaste

Senaste

Forskare når genombrott inom phase-change minnen

Ökar hastigheten med en faktor 10

Phase-change minne anses ofta vara en efterträdare till flash men har haft det svårt att komma fram till den tidpunkt då det verkligen kommer ta över. Just nu tar det fortfarande längre tid att skriva data än vanligt RAM och det kan ju ses som ett stort hinder.

Forskare vid Cambridge har dock tagit fram något som potentiellt skulle kunna lösa problemet. Det skulle göra så att hybriden av germanium, antimon och tellurium kristallieras fortare vilket i sin tur gör att data också skrivs fortare.

Genom att skapa ett svagt elektriskt fält genom substansen så kan en skrivoperation göras på endast 500 picoskunder och det är 10 gånger fortare än tidigare då man inte använt antimon. Forskare tror att detta kan leda till permanent lagring som körs med gigahertz-hastigheter eller mer. Med andra ord, det skulle få SSDs att blekna i jämförelse.

Det är dock en bit kvar att gå innan man kan använda det här i praktiska applikationer men det visar helt klart att phase-change minne är på väg.

arstechnica.com

PC, Hårdvara,

Datorminnen, Phase-change

46.7°