Intel talar om planer på 3D NAND-flash minnen. Begränsas inte av litografiprocessen.

Teknik

Motor

Samhälle

Spel

Popkultur

Fritid

Tjock

Tester

Dagens fråga

Tipsa!

Skaffa Feber+

Hetaste

Senaste

Intel talar om planer på 3D NAND-flash minnen

Begränsas inte av litografiprocessen

Keyvan Esfarjani, VD för technology & manufacturing hos Intel och Vice VD för IM Flash Technologies (IMFT), pratade nyligen vid Imec Technology Forum om Intels planer på att tillverka 3D NAND-flash minne. IMFT är ett delat bolag mellan Intel och Micron och dess roll är att hitta en väg att expandera NAND-flash minne in i tredje dimensionen.

Esfarjani sade att det finns en gräns för hur mycket man kan skala 2D NAND-flash men att det fortfarande går att expandera bortom dagens 20 nm-process till åtminstone 15 och 10 nm. 16 lager NAND-flash ICs kommer inte vara tillräckligt för att vara lönsamt framöver utan måste expanderas till 64 lager, eller åtminstone 32 lager för att det ska fungera.

Planar floating-gate high-K metal gate cell introducerades av IMFT vid 20 nm-processen och ersatte en "wrap-around" cell som användes för 34 och 25 nm för att man skulle kunna skala mer. IMFT introducerade 128 Gbit NAND-flash minne vid 20 nm under 2012.

Övergången till 3D NAND-flash minne kommer inte vara begränsad av litografiprocessen och man skulle kunna börja vid 40 nm. Problemet är att hitta material som kan hantera temperaturerna i tillverkning av halvledare med flera lager samtidigt som det har andra egenskaper som måste till för att det ska fungera.

fudzilla.com

PC, Hårdvara,

Intel, 3D NAND-flash

37.7°