Specifikationen för Hybrid Memory Cube är klar. Kan ge 10 gånger snabbare minnen som är 10 gånger så små.

Teknik

Motor

Samhälle

Spel

Popkultur

Fritid

Tjock

Tester

Dagens fråga

Tipsa!

Skaffa Feber+

Hetaste

Senaste

Specifikationen för Hybrid Memory Cube är klar

Kan ge 10 gånger snabbare minnen som är 10 gånger så små

Hybrid Memory Cube Consortium är en grupp som håller på med utveckling av lagringsmedia i tredimensionellt format som baserar sig på DRAM som kopplas ihop genom through-silicon vias (TSV). Gruppen har nyligen tillkännagett att de nu slutfört specifikationer för HMC, eller Hybrid Memory Cube, vilket öppnar portarna för tillverkare som vill börja använda teknologin för att skapa produkter.

Hybrid Memory Cube teknologi utvecklas av stora jättar inom DRAM-industrin, inklusive Samsung, Hynix och Micron, och prototyper som visades upp tidigare under året har legat på 128 GB/s i överföringshastighet. Microsoft har nyligen också anslutit sig till projektet som än så länge uppvisat väldigt stor potential med hastigheter omkring 10 gånger högre än vanligt DDR3-minne.

Through-silicon vias (TSV), som är den teknik som används i HMC, tillåter lager av kisel att byggas ovanpå varandra och kopplas ihop med ledande kanaler, eller "vias", som går genom ett lager till nästa. Resultatet blir en kompakt design som har samma format som en enkel minnesmodul med som har kapaciteten av flera.

I tester utförda av Micron så låg hastigheterna som sagt på 10 gånger högre än traditionella minnen medan strömförbrukningen även sjönk med 70 procent. Den färdiga produkten kunde också göras 10 gånger mindre än nuvarande produkter.

Nu är det förstås skillnad på att göra tester i ett labb och tillverka riktiga produkter och utöver de namn nämnda ovan så kommer även företag som Altera, ARM, HP, IBM, Open-Silicon och Xilinx behöva inkluderas och slutföra designer innan vi ser produkter på marknaden för att samtidigt också enas om en standard för gränssnitt och liknande.

bit-tech.net

PC, Hårdvara,

Hybrid Memory Cube, DRAM

44.2°