Forskning ger ny typ av DRAM-liknande minne
Kan ge revolutionerande datorteknologier
En ny typ av minne som forskas omkring vid University of Nottingham kan ge oss helt annorlunda datorer i framtiden, datorer där interminnet och hårddisken integreras.Dr. Elena Bichoutskaia och hennes team arbetar med ett projekt för att ta fram en ny typ av minne som byggs upp helt av kol-nanotuber som enklast kan förklaras som teleskopande tuber. Varje komponent av minnet byggs upp av två tuber, den ena lite större än den andra. I den yttre leds sedan en ström som gör att den inre tuben kan röra sig, som ett teleskop. När den är utsträckt kommer den i kontakt med en elektrod som på så sätt visar en binär etta. När tuben dras in bryts kretsen och representerar då en binär nolla.Den första generationen av minnet ska ha hastigheter som är jämförbara med dagens DRAM. Dessutom är minnet icke-flyktigt, som flash-minnen, vilket gör att det inte krävs någon ström för att behålla tillståndet, dvs datan som lagras på minnet. Du skulle alltså kunna stänga av din dator och din session sparas automatiskt och startas även på nolltid när du sedan slår på strömmen till din dator igen.Det skulle också kunna utesluta hårddiskar ur framtidens datorer då den här typen av minne kan lagra allting du behöver och internminnet och hårddisken integreras i ett, vilket i sin tur kommer innebära otroliga hastighetsökningar för systemen.
tomshardware.se
PC,
Hårdvara,
Minne,
37.1°
0
Samuel Paulsson
tors. 13 nov 2008, 15:07
3 kommentarer till artikeln
Wonderful future, som av ngn anledning aldrig verkar komma hit, vi har ju haft magnetdiskar i 3+ år nu, och nanotech har varit ett buzzword i typ 10, ändå så har vi inga supersnabba, superstora och superstabila diskar i burkarna.
av simulacra, torsdag 13 november 2008 kl 16:21
Frågan är ju hur stötkänsliga det här lagringsmediumet blir. Jobbigt om man stöter till den och alla pinnar trillar i botten så har man plötsligt en nyformaterad disk.
av onslow, torsdag 13 november 2008 kl 17:40
onslow:
En annan fördel med det här systemet är att minne kommer att bli icke-flyktigt. Precis som dagens flash-minne behövs ingen ström för att behålla tillståndet. Det borde också vara extremt motståndskraftigt mot G-kraft inducerad tillståndsändringar som kan uppkomma av att man till exempel tappar enheten.
från artikeln
av geran, torsdag 13 november 2008 kl 22:16
Kommentera artikeln
+
Per månad
39 kr
Betala löpande per månad. Ingen bindningstid.
Starta prenumeration
Per år
299 kr
Enklast och billigast, bara 25 kronor i månaden. Betala löpande per år. Ingen bindningstid.
Prova 14 dagar gratis innan du bestämmer dig.
Starta gratis provperiod
Engångsköp
349 kr
Slipp återkommande betalningar, betala ett år i taget. Betala med kort eller Swish.
Köp utan prenumeration
