Hybrid Memory Cube Consortium, en grupp som består av företag inom minnessektorn som bland andra Micron och Samsung, fick under veckan en ny medlem, nämligen Microsoft.

Den Hybrid Memory Cube (HMC) teknologi som gruppen utvecklar är en planerad implementation av "through-silicon via" (TSV) teknologi. Det består av vertikala ledningar genom ett datorchips kiselstruktur som gör att komponenter kan placeras i en tredimensionell struktur snarare än i plan som de görs idag.

En prototyp har visats upp av Micron tidigare under året och den hade en throughput på 128 GB/s, alltså tio gånger mer än vad DDR3-moduler ligger på idag som körs vid 12,8 GB/s.

Allt handlar dock inte bara om prestanda utan processen utlovar också att drastiskt dra ner på strömförbrukningen för till exempel mobila enheter. Microns prototyp drog 70 % mindre ström vid dataöverföringar med en modul som var en tiondel av storleken av dagens teknologi.

Än finns det tyvärr dock ingen tidsram för när den här typen av produkter kommer att släppas på marknaden men det faktum att Microsoft nu visat intresse betyder att det inte är så långt kvar förrän vi har kommersiella produkter klara.