Nytt phase-change-minne 500 gånger snabbare än flash
RIP, hårddiskar med rörliga delar?
En trio av halvledarföretag bestående av IBM, Matronix, och Qimonda har utvecklat en ny, betydligt snabbare typ av Phase-change Random Access Memory, eller PRAM. Samsung presenterade en PRAM-prototyp de sade var 30 gånger snabbare än traditionellt flash-minne för två månader sedan. Dock menar IBM, Matronix, och Qimonda att deras PRAM är mer än 500 gånger snabbare än flash och bara kräver hälften så mycket ström för att lagra data. Minnet är byggt på en 20nm-process.Trots att det erbjuder betydligt snabbare prestanda är PRAM likt flash-minne på det sättet att det kan behålla lagrad data även utan konstant strömförsörjning. Till skillnad från flash kan dock data skrivas ett oändligt antal gånger till PRAM.Trion kommer inte att introducera 20nm PRAM på studs, men Samsung meddelar att de kommer att börja sälja PRAM år 2008.
PC,
,
PRAM,
Via
The Tech Report
37.1°
0
Jon Kullberg
ons. 13 dec 2006, 05:10
3 kommentarer till artikeln
Blir priset 500 gånger höger också?
Hur store lär de där rackarna bli?
av anonym, onsdag 13 december 2006 kl 20:51
Det var ju trevligt, men varför står han och leker med lego?
av Newton, onsdag 13 december 2006 kl 21:48
Sådana detaljer är det lite för tidigt att svara på tyvärr. =)
av Jon Kullberg, onsdag 13 december 2006 kl 23:52
Kommentera artikeln
+
Per månad
39 kr
Betala löpande per månad. Ingen bindningstid.
Starta prenumeration
Per år
299 kr
Enklast och billigast, bara 25 kronor i månaden. Betala löpande per år. Ingen bindningstid.
Prova 14 dagar gratis innan du bestämmer dig.
Starta gratis provperiod
Engångsköp
349 kr
Slipp återkommande betalningar, betala ett år i taget. Betala med kort eller Swish.
Köp utan prenumeration
