NAND-flash minne har typiskt en plan struktur med ett enda lager celler. Det har talats om tredimensionella arkitekturer i åratal med flera lager celler. Samsung har faktiskt redan börjat massproducera en sådan produkt, något som de kallar för industrins första "three-dimensional (3D) Vertical NAND".
Den nya typen av minne kallas för V-NAND och kommer med en kapacitet av 128 Gb (16 GB) vardera, alltså samma densitet som används i Samsungs senaste 840 EVO SSD.
Istället för att använda en floating gate för att lagra den elektriska laddningen som är associerad med data så fångar Samsungs V-NAND elektroner i ett icke-ledande kiselnitridlager. Den här arkitekturen ska tydligen minska störningen mellan celler som gör det svårare att skala gate-baserat flash-minne till mindre litografiprocesser. V-NAND kan lagras i upp till 24 lager.
Det sägs dock ingenting om hur många lager som används i de första V-NAND chipen. Det nämns heller ingenting om vilken tillverkningsprocess som används men bör ligga omkring 19-21 nm eftersom det är samma process som används i chipen till 840 EVO SSD:erna.
Tack vare sin unika cellstruktur så utlovar V-NAND 2-10 ggr högre pålitlighet än Samsungs vanliga 19 nm NAND. 3D-flash ska också ha dubbla skrivprestandan i planet. Snabbare chip med högre densitet ska komma ut senare och Samsung hävdar att V-NAND ska klara av 1 Tb (128 GB) i ett enda chip.
