Samsung, en av världens största tillverkare av DRAM-produkter, har avslöjat att de förväntar sig ha en standard för en hyper memory kub (HMC) mot slutet av nästa år och att produktion kan påbörjas redan under 2013.
Micron och Samsung är båda medlemar som bidragit med pengar till en nyligen formad grupp, HMCC, som ska arbeta tätt tillsammans med Altera Corp., Open-Silicon och Xilinx för att utveckla nya minnesteknologier. Gruppen kommer till att börja med ta fram specifikationer för applikationer från storskaliga nätverk till industriella produkter och högpresterande datorsystem.
HMC väntas överkomma en flaskhals som kallas "memory wall" som blockerar full anvädning av flerkärniga, flertrådade processorer. För att ta sig igenom minnesväggen krävs en ny arkitektur som kan ge ökad densitet och bandbredd samtidigt som strömförbrukningen sänks. HMCC vill nu alltså göra HMC till framtidens lösning för utvecklare och tillverkare för att kunna tillverka än mer högpresterande system i framtiden.
Intel demonstrerade HMC under IDF i september i år och den prototypen hade designats av Intel och Micron och var 7 gånger effektivare i strömförbrukning än dagens DDR3.
